Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (12)
IRF6645TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 5.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] SJ Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 890пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
63 шт
Цена от:
от 161,76
AO3400A Транзистор полевой N-канальный 30В 5.8А 0.9Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 26.5 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
31 628 шт
Цена от:
от 2,98
FDMA420NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 5.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 935пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC5614P Транзистор полевой P-канальный 60В 5.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1055пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD7P20TM Транзистор полевой P-канальный 200В 5.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 690 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPA60R750E6XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 17.2нКл Входная емкость: 373пФ Тип монтажа: Through Hole
IPD80R1K0CEATMA1 Полевой транзистор N-канальный 800В 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.7A Тип транзистора: N-канал
IPP90R1K0C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 900В 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба, CoolMOS Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5.7A Тип транзистора: N-канал
IRFI740GLCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 5.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
NTTFS5116PLTAG Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 5.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1258пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMV20XNER Транзистор полевой N-канальный 30В 5.7A 3-Pin TO-236AB Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 510мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 18.6нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4431BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 5.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"