Одиночные MOSFET транзисторы

29
Ток стока макс.: 1.7A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (29)
-8% Акция
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7А 1.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 936 шт

Внешние склады:
1 432 шт
Цена от:
от 19,86
FDN335N FDN335N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 171 шт

Внешние склады:
8 464 шт
Цена от:
от 8,76
-8% Акция
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
633 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 28,68
-7%
IRFBF20PBF IRFBF20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
427 шт

Внешние склады:
20 024 шт
Цена от:
от 41,94
-7% Новинка
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
300 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 280 шт
Цена от:
от 108,96
-8% Акция
IRFD014PBF IRFD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7А 1.3Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
181 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 49,62
-8% Акция
IRFR310TRPBF IRFR310TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 550 шт

Внешние склады:
1 560 шт
Аналоги:
1 100 шт
Цена от:
от 34,26
-8% Акция
IRFU310PBF IRFU310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
889 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 12,42
-8% Акция
IRLD014PBF IRLD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
HVMDIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
82 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,66
-8% Акция
NDS355AN NDS355AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.7А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
517 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 15,42
-8% Акция
NTF2955T1G NTF2955T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.7А 1Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14.3нКл
Входная емкость:
492пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
732 шт

Внешние склады:
1 987 шт
Цена от:
от 24,24
-8% Акция
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
155 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
2.8нКл
Входная емкость:
182пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
14 726 шт

Внешние склады:
11 126 шт
Аналоги:
8 227 шт
Цена от:
от 5,88
Акция
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7А 1.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 23,58
FDN5630 FDN5630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 227 шт
Аналоги:
26 852 шт
Цена от:
от 10,14
FQD2N90TM FQD2N90TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
7.2 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 57,84
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 280 шт
Аналоги:
300 шт
Цена от:
от 84,00
IRFR310PBF IRFR310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 100 шт
Аналоги:
3 110 шт
Цена от:
от 82,44
NVR5198NLT1G NVR5198NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
155 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
5.1нКл
Входная емкость:
182пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 6,42
ZXM61N02FTA ZXM61N02FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.4нКл
Входная емкость:
160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 080 шт
Цена от:
от 9,90
FDN5632N_F085 FDN5632N_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
475пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"