Одиночные MOSFET транзисторы

₂₀

Ток стока макс.: 120A(Tc)

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (20)

Новинка

BUK964R7-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

324Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В @ 1mA

Заряд затвора:

92.1нКл @ 5В

Входная емкость:

15340пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

95 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 123,06₽

BUK965R8-100E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

5.8 мОм @ 25А, 5В

Мощность макс.:

357Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В @ 1mA

Заряд затвора:

133нКл @ 5В

Входная емкость:

17460пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

242 шт

Внешние склады:

2 921 шт

Цена от:

от 60,57₽

-6% Акция

IRFB3207ZGPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6920пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

83 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 116,99₽

IRFS4310ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

6 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6860пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 251 шт

Внешние склады:

950 шт

Цена от:

от 67,09₽

IRFS7440TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм @ 100А, 10В

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В @ 100 µA

Заряд затвора:

135нКл @ 10В

Входная емкость:

4730пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 413 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 47,72₽

AUIRFS3206TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 210A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6540пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK761R7-40E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.6 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

324Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

118нКл @ 10В

Входная емкость:

9700пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK763R8-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.8 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

357Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

169нКл @ 10В

Входная емкость:

12030пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7E3R5-60E,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A I2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

I2PAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.5 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

293Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

114нКл @ 10В

Входная емкость:

8920пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

BUK961R6-40E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.4 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

357Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В @ 1mA

Заряд затвора:

120нКл @ 5В

Входная емкость:

16400пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDA032N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-3P

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.2 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

220нКл @ 10В

Входная емкость:

15160пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3206GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6540пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3306GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A TO-220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.2 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

120нКл @ 10В

Входная емкость:

4520пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB4110GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

370Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

210нКл @ 10В

Входная емкость:

9620пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7440GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм @ 100А, 10В

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В @ 100 µA

Заряд затвора:

135нКл @ 10В

Входная емкость:

4730пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFS3207ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6920пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3307TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

6.3 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

180нКл @ 10В

Входная емкость:

5150пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFSL3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6540пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFSL3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.2 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

120нКл @ 10В

Входная емкость:

4520пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLR3717TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 120A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4 мОм @ 15А, 10В

Мощность макс.:

89Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.45В @ 250 µA

Заряд затвора:

31нКл @ 4.5В

Входная емкость:

2830пФ @ 10В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"