Одиночные MOSFET транзисторы

25
Ток стока макс.: 2.7A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (25)
-8% Акция
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 279 шт

Внешние склады:
1 693 шт
Цена от:
от 22,14
-7%
IRFR9214TRPBF IRFR9214TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 2.7А 50Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
264 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 70,62
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 1.25Вт, 0.092 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
92 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
17 396 шт

Внешние склады:
36 504 шт
Аналоги:
58 278 шт
Цена от:
от 6,42
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
1нКл
Входная емкость:
110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
14 184 шт

Внешние склады:
68 026 шт
Аналоги:
59 839 шт
Цена от:
от 5,10
-7%
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 623 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 455 шт
Цена от:
от 26,40
-8% Акция
SI4848DY-T1-GE3 SI4848DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
263 шт

Внешние склады:
5 192 шт
Аналоги:
1 623 шт
Цена от:
от 23,28
FDC8601 FDC8601 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
109 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 134,88
FDMC86261P FDMC86261P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 50,40
FDN359AN FDN359AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
46 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 10,50
FDN8601 FDN8601 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
109 мОм
Мощность макс.:
600мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 48,72
IRLL014TRPBF IRLL014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 650 шт
Цена от:
от 30,42
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
155пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
15 789 шт
Цена от:
от 4,20
STD3N62K3 STD3N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 2.7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
385пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 121,26
ZXMN6A11ZTA ZXMN6A11ZTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.7нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 22,68
FDN359BN FDN359BN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
46 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD4P40TM FQD4P40TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
3.1 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFL014PBF IRFL014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 972 шт
Цена от:
от 22,14
IRFR9214PBF IRFR9214PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
284 шт
Цена от:
от 70,62
IRFU9214PBF IRFU9214PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDT014 NDT014 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
155пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"