Одиночные MOSFET транзисторы

31
Ток стока макс.: 19A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (31)
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19А 68Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 348 шт

Внешние склады:
2 291 шт
Цена от:
от 24,49
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 229 шт

Внешние склады:
540 шт
Цена от:
от 56,18
Акция
IRFI4229PBF IRFI4229PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 19А 46Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
46 мОм
Мощность макс.:
46Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4480пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
941 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 107,93
IRF9540PBF IRF9540PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19А 150Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
736 шт

Внешние склады:
85 шт
Цена от:
от 59,59
-6% Акция
IRF9540STRLPBF IRF9540STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
536 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 133,69
-6% Акция
FQP19N20C FQP19N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19А 139Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
139Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
63 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 105,75
2SK3683-01MR 2SK3683-01MR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 19А 97Вт
Производитель:
Fuji Electric
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
19A
Мощность макс.:
97Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
56 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 143,41
BSC039N06NS BSC039N06NS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
69Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSC046N02KSG BSC046N02KSG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 19A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
19A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSDSON
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6% Акция
CSD16406Q3 CSD16406Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
5.3 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
8.1нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18503Q5A CSD18503Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
2640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDA18N50 FDA18N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
265 мОм
Мощность макс.:
239Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDB045AN08A0 FDB045AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
138нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB8896 FDB8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 93A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
2525пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS0312S FDMS0312S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7672 FDMS7672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
2960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7672AS FDMS7672AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86300 FDMS86300 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
7082пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP8870 FDP8870 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 156A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.1 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
132нКл
Входная емкость:
5200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"