Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)

Тип монтажа

Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (31)

IRF9Z34NPBF Транзистор полевой P-канальный 55В 19А 68Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

18 354 шт

Под заказ:

4 690 шт

Цена от:

от 25,79₽

2SK3683 Транзистор полевой N-канальный 500В 19А 97Вт Производитель: FUJI Electric Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 19A Мощность макс.: 97Вт Тип транзистора: N-канал

Наличие:

38 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 268,76₽

IRF9Z34NSTRLPBF Транзистор полевой P-канальный 55В 19A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

3 784 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 69,16₽

IRFI4229PBF Транзистор полевой N-канальный 250В 19А 46Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 46Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4480пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 671 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 139,10₽

BSC039N06NS Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC046N02KSG Полевой транзистор N-канальный 20В 19A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 19A Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

BSZ0902NSATMA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 21A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

CSD16406Q3 Транзистор полевой N-канальный 25В 60A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON-8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 5.3 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 8.1нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18503Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 40 В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 2640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDA18N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 19A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 265 мОм Мощность макс.: 239Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2860пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB045AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 90 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 138нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB8896 Транзистор полевой N-канальный 30В 93A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 2525пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS0312S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 19 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2820пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7672 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 19 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 2960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7672AS Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2820пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86300 Транзистор полевой N-канальный 80В 19A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 7082пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP8870 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 156 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 132нКл Входная емкость: 5200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB19N20CTM Транзистор полевой N-канальный 200В 19A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP19N20C Транзистор полевой N-канальный 200В 19А 139Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 139Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF19N20C Транзистор полевой N-канальный 200В 19A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"