Одиночные MOSFET транзисторы

30
Ток стока макс.: 3.6A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (30)
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro8[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
700 шт

Внешние склады:
10 512 шт
Цена от:
от 22,60
IRFBC30APBF IRFBC30APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
57 шт

Внешние склады:
2 871 шт
Цена от:
от 39,72
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6А 74Вт, 2.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
286 шт

Внешние склады:
3 500 шт
Цена от:
от 26,58
Акция
IRFBF30PBF IRFBF30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.6А 125Вт, 3.7 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
3.7 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
262 шт

Внешние склады:
850 шт
Цена от:
от 109,76
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6А 42Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
218 шт

Внешние склады:
9 237 шт
Аналоги:
4 650 шт
Цена от:
от 38,60
Акция
IRLML0040TRPBF IRLML0040TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 3.6А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
56 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
3.9нКл
Входная емкость:
266пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
20 880 шт

Внешние склады:
23 100 шт
Аналоги:
50 772 шт
Цена от:
от 7,23
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
64 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
4.8нКл
Входная емкость:
388пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
48 578 шт

Внешние склады:
27 100 шт
Аналоги:
195 689 шт
Цена от:
от 5,19
Акция
STL7N80K5 STL7N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 42Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13.4нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
235 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 57,20
FDC654P FDC654P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
298пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 15,77
FQD5P10TM FQD5P10TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
1.05 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 92,93
IRFR9220PBF IRFR9220PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6А 42Вт, 1.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 650 шт
Аналоги:
12 455 шт
Цена от:
от 101,81
IRFR9220TRLPBF IRFR9220TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Аналоги:
11 105 шт
Цена от:
от 181,55
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Транзистор полевой 2N-канальный 30В 3.6A PQFN
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN6-(2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 28,94
NTLJS4114NT1G NTLJS4114NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-WDFN (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 34,32
NTR3C21NZT1G NTR3C21NZT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.6A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
470мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
17.8нКл
Входная емкость:
1540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 11,57
SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
68 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 55,75
SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 40,70
FDD2670 FDD2670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1228пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFB812PBF IRFB812PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
78Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFBC30ASPBF IRFBC30ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"