Одиночные MOSFET транзисторы

₃₀

Ток стока макс.: 3.6A

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (30)

IRLML9301TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6А 1.3Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

64 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

4.8нКл

Входная емкость:

388пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

35 237 шт

Внешние склады:

4 300 шт

Аналоги:

179 906 шт

Цена от:

от 6,83₽

Акция

IRLML0040TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 3.6А 1.3Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

56 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

3.9нКл

Входная емкость:

266пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

13 856 шт

Внешние склады:

9 000 шт

Аналоги:

187 525 шт

Цена от:

от 8,25₽

IRFR9220TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6А 42Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

4 056 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

675 шт

Цена от:

от 41,90₽

IRF7606TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro8[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

90 мОм

Мощность макс.:

1.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

520пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

700 шт

Внешние склады:

10 512 шт

Цена от:

от 20,54₽

IRFBC30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6А 74Вт, 2.2 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

630 шт

Внешние склады:

20 шт

Цена от:

от 43,82₽

-6% Акция

STL7N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 42Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

PowerFLAT 5x6

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

42Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

13.4нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

235 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 50,26₽

Акция

IRFBF30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.6А 125Вт, 3.7 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

3.7 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

227 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 119,77₽

IRFBC30APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

57 шт

Внешние склады:

850 шт

Цена от:

от 74,97₽

IRFR9220PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6А 42Вт, 1.5 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

675 шт

Аналоги:

4 056 шт

Цена от:

от 110,93₽

SI2300DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

68 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

320пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

200 шт

Цена от:

от 54,82₽

FDC654P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

298пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD2670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1228пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5P10TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

1.05 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFB812PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.6A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

78Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

810пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBC30ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC30ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC30SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC30STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBF30STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

3.7 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

227 шт

Цена от:

от 119,77₽

IRFPF30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

3.7 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"