Одиночные MOSFET транзисторы

52
Ток стока макс.: 2A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (52)
2SK3065 2SK3065 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2А 0.5Вт
Производитель:
ROHM
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2A
Мощность макс.:
0.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
2 025 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 13,92
-8% Акция
BSH205G2R BSH205G2R Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2А 0.89ВТ
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Мощность макс.:
0.89Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
659 шт

Внешние склады:
4 460 шт
Цена от:
от 5,46
-8% Акция
FDN327N FDN327N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2А 0.07 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6.3нКл
Входная емкость:
423пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
473 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 7,38
-8% Акция
FDN360P FDN360P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2А 0.08 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
298пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
828 шт

Внешние склады:
8 919 шт
Цена от:
от 8,28
-8% Акция
FQPF2N60C FQPF2N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.7 Ом
Мощность макс.:
23Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
406 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 25,56
-7%
IRF710PBF IRF710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2А 36Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 140 шт

Внешние склады:
675 шт
Цена от:
от 41,82
-8% Акция
IRFRC20PBF IRFRC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.0А 42Вт, 4.4 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
486 шт

Внешние склады:
70 шт
Аналоги:
3 416 шт
Цена от:
от 51,72
-7%
IRFRC20TRLPBF IRFRC20TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 000 шт

Внешние склады:
1 223 шт
Аналоги:
1 749 шт
Цена от:
от 60,00
-7%
IRFRC20TRPBF IRFRC20TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 193 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 779 шт
Цена от:
от 56,46
-7%
IRFUC20PBF IRFUC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 42Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
654 шт

Внешние склады:
80 шт
Цена от:
от 57,48
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2А 2.1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
6 627 шт

Внешние склады:
25 099 шт
Аналоги:
600 шт
Цена от:
от 12,84
-8% Акция
NX2301P,215 NX2301P,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2А 0.4Вт, 0.1 Ом
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 145 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 5,28
-8% Акция
STD2HNK60Z STD2HNK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 4.4 Ом, 45Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
216 шт

Внешние склады:
40 000 шт
Цена от:
от 23,70
2SK3067 2SK3067 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 25Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
34 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 47,34
Акция
2SK3767 2SK3767 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 25Вт (рекомендуемая замена: TK3A60DA)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
32 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 117,18
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Транзистор полевой 2P-канальный 30В 2A 6TSOP
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2A
Тип транзистора:
2P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 23,76
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2A SOT23
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2A
Тип транзистора:
P-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
21 600 шт
Цена от:
от 7,20
FDG315N FDG315N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
4нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 918 шт
Цена от:
от 24,96
FDMC86262P FDMC86262P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2A 8-Pin MLP EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
307 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±25В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
885пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 69,30
FDN340P FDN340P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2А 0,5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
779пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 884 шт
Цена от:
от 9,84
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"