Одиночные MOSFET транзисторы

39
Ток стока макс.: 100A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (39)
Акция
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 100А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO 263-3 (D2Pak)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
100A
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 211 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 115,76
IRF1104PBF IRF1104PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 681 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 120,30
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
8-PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
40V
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1.25 mOhm
Тип транзистора:
N-Channel
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9V
Заряд затвора:
190nC
Входная емкость:
6560pF
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 612 шт

Внешние склады:
9 970 шт
Цена от:
от 39,75
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TDSON-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
2.2 мОм
Мощность макс.:
69Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Аналоги:
3 522 шт
Цена от:
от 66,49
IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
165нКл
Входная емкость:
6460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 77,51
PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R5-40PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4.6 мОм
Мощность макс.:
148Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42.3нКл
Входная емкость:
2683пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
550 шт
Цена от:
от 225,49
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
5.2 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
3501пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 500 шт
Цена от:
от 180,15
PSMN5R6-100BS,118 PSMN5R6-100BS,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
5.6 мОм
Мощность макс.:
306Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
141нКл
Входная емкость:
8061пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 317,63
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
11700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 248 шт
Цена от:
от 41,34
Акция
AUIRFR8401 AUIRFR8401 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 79Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4.25 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 151 шт
Цена от:
от 63,35
Акция
AUIRFR8405 AUIRFR8405 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 163Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1.98 мОм
Мощность макс.:
163Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
155нКл
Входная емкость:
5171пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
62 шт
Цена от:
от 174,49
BSC034N03LSG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A TDSON-8
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
BSC040N08NS5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 100A автомобильного применения 8-Pin TDSON EP
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
100A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R8-60E,118 BUK964R8-60E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4.4 мОм
Мощность макс.:
234Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
9710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y3R5-40E,115 BUK9Y3R5-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
3.6 мОм
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
30.2нКл
Входная емкость:
5137пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y4R4-40E,115 BUK9Y4R4-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
26.8нКл
Входная емкость:
4077пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
5.2 мОм
Мощность макс.:
195Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
39.4нКл
Входная емкость:
6319пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17506Q5A CSD17506Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
1650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18509Q5BT CSD18509Q5BT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1.2 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
195нКл
Входная емкость:
13900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18540Q5BT CSD18540Q5BT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"