Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (20)
IRF7403TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 208 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 68,77
STD11NM50N Транзистор полевой N-канальный 500В 8.5А 0.4 Ом, 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 470 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 547пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
350 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 138,34
Акция 2SK2320 Транзистор полевой N-канальный 800В 8.5А 90Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO3FP Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8.5A Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
33 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 56,06
Акция 2SK3017 Транзистор полевой N-канальный 900В 8.5А 90Вт (рекомендуемая замена: TK9J90E) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8.5A Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
15 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 109,97
Акция RSS085N05 Транзистор полевой N-канальный 45В 8.5А 2Вт Производитель: ROHM Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 45В Ток стока макс.: 8.5A Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
169 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 49,63
Акция 2SK2606 Транзистор полевой N-канальный 800В 8.5А 85Вт (рекомендуемая замена: TK10J80E, TK10A80E) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8.5A Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал
AO4404 Транзистор полевой N-канальный 30В 8.5A 3Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.5A Мощность макс.: 3 Вт Тип транзистора: N-канал
DMP4015SPS-13 Транзистор полевой P-канальный 40В 8.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: PowerDI5060-8 (4.9x5.8) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 47.5нКл Входная емкость: 4234пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD5680 Полевой транзистор N-канальный 60В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1835пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC4435BZ Транзистор полевой P-канальный 30В 8.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2045пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FDS8884 Транзистор полевой N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 635пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPP50R190CEXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 500В 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8.5A Тип транзистора: N-канал
IPW50R190CEFKSA1 Полевой транзистор N-канальный 500В 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8.5A Тип транзистора: N-канал
Акция IRF7403PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 208 шт
Цена от:
от 68,77
IRFB9N65APBF Транзистор полевой N-канальный 650В 8.5А 167Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 930 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1417пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STD12N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 8.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount
STF11NM50N Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 8.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 470 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 547пФ Тип монтажа: Through Hole
STL12N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 644пФ Тип монтажа: Surface Mount
STP12N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 8.5А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole
STU12N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 8.5А 0.430 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"