Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (86)

SI4850EY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 6A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5403DC-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 6A Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 6.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5457DC-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5468DC-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7120ADN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 45нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7308DN-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 58 мОм Мощность макс.: 19.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 665пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7308DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 58 мОм Мощность макс.: 19.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 665пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

SIHF6N40D-E3 Транзистор полевой N-канальный 400В 6A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Full Pack Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 311пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SPA06N80C3XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 6 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 785пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

SQ2310ES-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 6A Производитель: Vishay Корпус: TO-236 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB6NK60ZT4 Транзистор полевой N-канальный 600В 6А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 905пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STD6NF10T4 Транзистор полевой N-канальный 100В 6А 0.22 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STD7N52DK3 Транзистор полевой N-канальный 525В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 525В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.15 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD7N52K3 Транзистор полевой N-канальный 525В 6А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 525В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 980 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 737пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD7N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 13.4нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD8N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF7N52DK3 Полевой транзистор, N-канальный, 525 В, 6 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 525В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.15 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF7N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 13.4нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF8N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 6 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP6NK60Z Транзистор полевой N-канальный 600В 6А 104Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 905пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"