Одиночные MOSFET транзисторы

20
Ток стока макс.: 160A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (20)
Акция
AUIRF1404Z AUIRF1404Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
4340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
95 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 104,01
Акция
AUIRF3805S-7P AUIRF3805S-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
7820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
73 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 788,53
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
7500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
238 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 174,90
Акция
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
7500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 269,09
Акция
IRL1404PBF IRL1404PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160А 200Вт, 0.004 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
6590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
150 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 164,23
IRLR8743TRPBF IRLR8743TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
4880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 322 шт

Внешние склады:
11 235 шт
Цена от:
от 45,47
IRLU8743PBF IRLU8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
4880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
11 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 120,72
AUIRF1404ZS AUIRF1404ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
4340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
56 шт
Цена от:
от 253,87
AUIRF3805 AUIRF3805 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
290нКл
Входная емкость:
7960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF3805L AUIRF3805L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
290нКл
Входная емкость:
7960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF3805S AUIRF3805S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
290нКл
Входная емкость:
7960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRL1404S AUIRL1404S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRL1404Z AUIRL1404Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
5080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA160N08 FQA160N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 160A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
290нКл
Входная емкость:
7900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF2804S-7PPBF IRF2804S-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
260нКл
Входная емкость:
6930пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF2907ZS-7PPBF IRF2907ZS-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
260нКл
Входная емкость:
7580пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF2907ZSPBF IRF2907ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
7500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
143 шт
Цена от:
от 269,09
Акция
IRF3805S-7PPBF IRF3805S-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
7820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
735 шт
Цена от:
от 222,66
Акция
IRLR8743PBF IRLR8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
4880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
25 114 шт
Цена от:
от 8,27
STB270N4F3 STB270N4F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
7400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43524 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"