Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)

Тип монтажа

Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (21)

SPP03N60S5 Транзистор полевой N-канальный 600В 3.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 420пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

76 шт

Под заказ:

14 000 шт

Цена от:

от 58,82₽

IRLMS1503TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 3.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TSOP-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 9.6нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

879 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 29,30₽

DMP2160U-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Входная емкость: 627пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86259P Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 13 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 107 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 2045пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86106LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 108 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP3N30 Транзистор полевой N-канальный 300В 3.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 230пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW65R037C6FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 700В 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 700В Ток стока макс.: 3.2A Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

NTHD3101FT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 7.4нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTJS3157NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4501NT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 3.2А 1.25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVR4501NT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 3.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV50UPE,215 Полевой транзистор P-канальный 20В 3.2A 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 66 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 15.7нКл Входная емкость: 24пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB65UPEZ Транзистор полевой P-канальный 12В 3.2A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 72 мОм Мощность макс.: 317мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 634пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7450DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.2 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 42нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7465DP-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 3.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 64 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7465DP-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 3.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 64 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD03N50C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 500В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD03N60C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 3.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPP03N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 3.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SQ2351ES-T1_GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"