Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (21)

IRFL024NTRPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18.3нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

12 589 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 50,78₽

2SK1602 Транзистор полевой N-канальный 800В 2.8А 40Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.8A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал

Наличие:

150 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 62,30₽

PMV65XP,215 Транзистор полевой P-канальный 20В 2.8A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 76 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 7.6нКл Входная емкость: 725пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

4 163 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 7,84₽

Новинка

DMG2302UK-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 2.8A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive

Сообщить о поступлении

DMN2065UW-7 Полевой транзистор N-канальный 20В 2.8A автомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 430мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 5.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD120AN15A0 Транзистор полевой N-канальный 150В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14.5нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86244 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 2.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 134 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 5.9нКл Входная емкость: 345пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS2734 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 122 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 2365пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86244 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 2.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 128 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 395пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP3P20 Транзистор полевой P-канальный 200В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQT13N06LTF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT13N06TF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQU5N60CTU Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFL024NPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт, 0.075 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18.3нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

12 589 шт

Цена от:

от 50,78₽

NDT014L Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 214пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV65XPEAR Полевой транзистор P-канальный 20В 2.8A автомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 618пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV65XPER Транзистор полевой P-канальный 20В 3.3A 3-Pin TO-236AB Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 618пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2301-TP Транзистор полевой P-канальный 20В 2.8A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Micro Commercial Components Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 450mВ Заряд затвора: 14.5нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQ2361ES-T1_GE3 Полевой транзистор P-канальный 60В 2.8A автомобильного применения 3-Pin TO-236 лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive

Сообщить о поступлении

TSM2301ACX RFG Транзистор полевой P-канальный 20В 2.8A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Taiwan Semiconductor Co., Ltd Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 4.5нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"