Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (13)
IRFB4229PBF Транзистор полевой N-канальный 250В 46А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
239 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 200,78
IPP65R045C7XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 46A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 93нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Through Hole
IPW65R045C7FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 46A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 93нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP260PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 46А 280Вт, 0.055 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 230нКл Входная емкость: 5200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP4242PBF Полевой транзистор, N-канальный, 300В 46А 430Вт (Replacement: IRFB4137PBF) Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 59 мОм Мощность макс.: 430Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 247нКл Входная емкость: 7370пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPS40N50LPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 46А 540Вт Производитель: Vishay Корпус: Super-247 (TO-274AA) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 540Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 380нКл Входная емкость: 8110пФ Тип монтажа: Through Hole
IXFH46N65X2 Полевой транзистор N-канальный 650В 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 76 мОм Мощность макс.: 660Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±30В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 4810пФ Тип монтажа: Through Hole
NTD5865NLT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 40A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN014-40YS,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 702пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4136DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 46 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7463ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 46 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 144нКл Входная емкость: 4150пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL60N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 72Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount
STW62N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 49 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 142нКл Входная емкость: 6420пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"