Одиночные MOSFET транзисторы

12
Особенности: Diode (Isolated)
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (12)
FDFS2P106A FDFS2P106A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
714пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 464,59
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.3A 6-Pin WDFN лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-WDFN (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
710мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
531пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 15,04
FDFM2P110 FDFM2P110 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET 3x3mm
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
4нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFMA2N028Z FDFMA2N028Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
68 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
455пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFMA2P029Z FDFMA2P029Z Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFMA2P853 FDFMA2P853 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
435пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFMA3N109 FDFMA3N109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
123 мОм
Мощность макс.:
650мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
3нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFS6N548 FDFS6N548 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7422D2PBF IRF7422D2PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7807VD1PBF IRF7807VD1PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.3A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
NTHD3101FT1G NTHD3101FT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
7.4нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTLJF4156NT1G NTLJF4156NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-WDFN (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
710мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.5нКл
Входная емкость:
427пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"