Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
STB100NF04T4
Транзистор полевой N-канальный 40В 120A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 5100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB18NF25
Транзистор полевой N-канальный 250В 17A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 165 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 29.5нКл
Входная емкость: 1000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB36NM60ND
Транзистор полевой N-канальный 600В 29A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 80.4нКл
Входная емкость: 2785пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB46N30M5
Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 53 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 300В
Ток стока макс.: 53A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 95нКл
Входная емкость: 4240пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB80NF55-08T4
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 155нКл
Входная емкость: 3850пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD25NF20
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 39нКл
Входная емкость: 940пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD7ANM60N
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 900 мОм
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 363пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD80N4F6
Транзистор полевой N-канальный 40В 80A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 6 мОм
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 36нКл
Входная емкость: 2150пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD80N6F6
Транзистор полевой N-канальный 60В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 122нКл
Входная емкость: 7480пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STH315N10F7-2
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 180 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 180A
Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм
Мощность макс.: 315Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 12800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STH315N10F7-6
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 180 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 180A
Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм
Мощность макс.: 315Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 12800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STL70N4LLF5
Транзистор полевой 40В 70A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 70A
Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм
Мощность макс.: 4Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STW36NM60ND
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 80.4нКл
Входная емкость: 2785пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW62N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 46A
Сопротивление открытого канала: 49 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 142нКл
Входная емкость: 6420пФ
Тип монтажа: Through Hole
STW78N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 69A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 69A
Сопротивление открытого канала: 32 мОм
Мощность макс.: 450Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 203нКл
Входная емкость: 9000пФ
Тип монтажа: Through Hole
ZXMN10A08GTA
Транзистор полевой N-канальный 100В 2A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 2A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.