Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (225)
AUIRFR9024NTRL
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11A DPAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 11A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 175 мОм @ 6.6А, 10В
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 19нКл @ 10В
Входная емкость: 350пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS3206TRL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 210A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
Заряд затвора: 170нКл @ 10В
Входная емкость: 6540пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS4010
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DВІPAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 180A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм @ 106А, 10В
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 215нКл @ 10В
Входная емкость: 9575пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS4610
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 73A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 14 мОм @ 44А, 10В
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA
Заряд затвора: 140нКл @ 10В
Входная емкость: 3550пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFSL4010
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A TO262
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 180A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм @ 106А, 10В
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 215нКл @ 10В
Входная емкость: 9575пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
AUIRFSL4115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 99A TO262
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 99A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 12.1 мОм @ 62А, 10В
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 120нКл @ 10В
Входная емкость: 5270пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
AUIRFU8401
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A IPAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I-Pak
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 100A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.25 мОм @ 60А, 10В
Мощность макс.: 79Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 500 µA
Заряд затвора: 63нКл @ 10В
Входная емкость: 2200пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
AUIRFU8403
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A IPAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I-Pak
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 100A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм @ 76А, 10В
Мощность макс.: 99Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA
Заряд затвора: 99нКл @ 10В
Входная емкость: 3171пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
AUIRFZ44N
Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 49А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 49A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 94Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 63нКл @ 10В
Входная емкость: 1470пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFZ44VZS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 57A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.: 92Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 65нКл @ 10В
Входная емкость: 1690пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFZ44VZSTRL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 57A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.: 92Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 65нКл @ 10В
Входная емкость: 1690пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFZ44Z
Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 51А [TO-220AB]
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 51A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм @ 31А, 10В
Мощность макс.: 80Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 43нКл @ 10В
Входная емкость: 1420пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
AUIRFZ48N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 69A TO-220AB
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 69A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 14 мОм @ 40А, 10В
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA
Заряд затвора: 63нКл @ 10В
Входная емкость: 1900пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
BSS127SSN-7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 50MA SC59
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 50мА(Ta)
Сопротивление открытого канала: 160 Ом @ 16mА, 10В
Мощность макс.: 610мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 1.08нКл @ 10В
Входная емкость: 21.8пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BSS138W
Транзистор полевой N-канальный 50В 0,21A SOT323
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 210мА(Ta)
Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом @ 220mА, 10В
Мощность макс.: 340мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В @ 1mA
Заряд затвора: 1.1нКл @ 10В
Входная емкость: 38пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
12 994 шт
Цена от:
от 2,20₽
BSS87,115
Транзистор полевой N-канальный 200В 400мА
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 400мА(Ta)
Сопротивление открытого канала: 3 Ом @ 400mА, 10В
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В @ 1mA
Входная емкость: 120пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7606-75B,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 91нКл @ 10В
Входная емкость: 7446пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7608-55A,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 254Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 76нКл @ 0В
Входная емкость: 4352пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK761R7-40E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 324Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 118нКл @ 10В
Входная емкость: 9700пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7620-55A,118
Полевой транзистор N-канальный 55В 54A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 54A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 20 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 118Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Входная емкость: 1592пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара