Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (13)

2N7002E-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 0.24A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 240мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 3 Ом @ 250mА, 10В Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 0.6нКл @ 4.5В Входная емкость: 21пФ @ 5В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AO4459 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6.5A 8SOIC Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A(Ta) Сопротивление открытого канала: 46 мОм @ 6.5А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 16нКл @ 10В Входная емкость: 830пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AON6242 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18.5A DFN5X6 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18.5A(Ta),85A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 72нКл @ 10В Входная емкость: 6370пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AON7410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.5A(Ta),24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 20 мОм @ 8А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 12нКл @ 10В Входная емкость: 660пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRLS3034 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 343A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм @ 195А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 162нКл @ 4.5В Входная емкость: 10315пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN10H220L-7 Транзистор полевой N-канальный 100В 1.6A SOT-23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.4A(Ta) Сопротивление открытого канала: 220 мОм @ 1.6А, 10В Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 8.3нКл @ 10В Входная емкость: 401пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3010LK3-13 Полевой транзистор N-канальный 30В 13.1A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.1A(Ta),43A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм @ 18А, 10В Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 37нКл @ 10В Входная емкость: 2075пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7726TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7A MICRO8 Производитель: Infineon Technologies Корпус: MSOP8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7A(Ta) Сопротивление открытого канала: 26 мОм @ 7А, 10В Мощность макс.: 1.79Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 69нКл @ 10В Входная емкость: 2204пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLS3036TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 240A D2PAK-7 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 240A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм @ 180А, 10В Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 160нКл @ 4.5В Входная емкость: 11270пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLS4030TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм @ 110А, 10В Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 130нКл @ 4.5В Входная емкость: 11360пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVMFS5826NLWFT1G Полевой транзистор N-канальный 60В 8A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A(Ta) Сопротивление открытого канала: 24 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 17нКл @ 10В Входная емкость: 850пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVMFS5885NLT1G Транзистор полевой N-канальный 60В 10.2A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10.2A(Ta) Сопротивление открытого канала: 15 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 21нКл @ 10В Входная емкость: 1340пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2366DS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 5.8A SOT-23 Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.8A(Tc) Сопротивление открытого канала: 36 мОм @ 4.5А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 10нКл @ 10В Входная емкость: 335пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"