Одиночные MOSFET транзисторы

13
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (13)
-8% Акция
2N7002E-T1-GE3 2N7002E-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.24A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
240мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
3 Ом @ 250mА, 10В
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
0.6нКл @ 4.5В
Входная емкость:
21пФ @ 5В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
218 шт

Внешние склады:
73 409 шт
Аналоги:
62 028 шт
Цена от:
от 3,06
DMN10H220L-7 DMN10H220L-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6A SOT-23
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.4A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
220 мОм @ 1.6А, 10В
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
8.3нКл @ 10В
Входная емкость:
401пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
21 592 шт
Цена от:
от 6,48
IRF7726TRPBF IRF7726TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7A MICRO8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro8[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
26 мОм @ 7А, 10В
Мощность макс.:
1.79Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
69нКл @ 10В
Входная емкость:
2204пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 302 шт
Цена от:
от 294,78
AO4459 AO4459 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6.5A 8SOIC
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
46 мОм @ 6.5А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
16нКл @ 10В
Входная емкость:
830пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
AON6242 AON6242 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18.5A DFN5X6
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18.5A(Ta),85A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.6 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
72нКл @ 10В
Входная емкость:
6370пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount
AON7410 AON7410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A 8DFN
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.5A(Ta),24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
20 мОм @ 8А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
12нКл @ 10В
Входная емкость:
660пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRLS3034 AUIRLS3034 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 343A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.7 мОм @ 195А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
162нКл @ 4.5В
Входная емкость:
10315пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN3010LK3-13 DMN3010LK3-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.1A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.1A(Ta),43A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм @ 18А, 10В
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
37нКл @ 10В
Входная емкость:
2075пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 240A D2PAK-7
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
240A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.9 мОм @ 180А, 10В
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
160нКл @ 4.5В
Входная емкость:
11270пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм @ 110А, 10В
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 4.5В
Входная емкость:
11360пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
NVMFS5826NLWFT1G NVMFS5826NLWFT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
24 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
17нКл @ 10В
Входная емкость:
850пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
NVMFS5885NLT1G NVMFS5885NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10.2A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10.2A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
15 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
21нКл @ 10В
Входная емкость:
1340пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.8A SOT-23
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.8A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
36 мОм @ 4.5А, 10В
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
10нКл @ 10В
Входная емкость:
335пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"