Одиночные MOSFET транзисторы

12
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (12)
IRF7455TRPBF IRF7455TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
56нКл @ 5В
Входная емкость:
3480пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
207 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 80,22
AON6512 AON6512 МОП-транзистор, N-канальный, 30 В, 54 А, [DFN-8 5X6 EP]
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
54A(Ta),150A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.7 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
7.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
64нКл @ 10В
Входная емкость:
3430пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 64,38
AUIRLR3410 AUIRLR3410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
105 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
34нКл @ 5В
Входная емкость:
800пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
375 шт
Цена от:
от 134,04
IRLZ24NSTRLPBF IRLZ24NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 18A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
60 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
15нКл @ 5В
Входная емкость:
480пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 60,96
STD12NF06L-1 STD12NF06L-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A IPAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
100 мОм @ 6А, 10В
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
10нКл @ 5В
Входная емкость:
350пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Цена от:
от 29,46
Акция
AUIRLR120N AUIRLR120N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
185 мОм @ 6А, 10В
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
20нКл @ 5В
Входная емкость:
440пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
192 шт
Цена от:
от 91,20
FDD7N25LZTM FDD7N25LZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 6.2A DPAK-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
6.2A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
550 мОм @ 3.1А, 10В
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
16нКл @ 10В
Входная емкость:
635пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7463TRPBF IRF7463TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
51нКл @ 4.5В
Входная емкость:
3150пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR3708TRPBF IRFR3708TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 61A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
61A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.5 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.:
87Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
24нКл @ 4.5В
Входная емкость:
2417пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRL530NSTRRPBF IRL530NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
100 мОм @ 9А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
34нКл @ 5В
Входная емкость:
800пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLR024NTRRPBF IRLR024NTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
65 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
15нКл @ 5В
Входная емкость:
480пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
234 098 шт
Цена от:
от 12,96
IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
105 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
34нКл @ 5В
Входная емкость:
800пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
20 193 шт
Цена от:
от 15,44
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4815 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"