Одиночные MOSFET транзисторы

32
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (32)
Акция
IRL7833PBF IRL7833PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 150А, 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
150A
Сопротивление открытого канала:
3.8 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
4170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 90,84
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
2.6нКл
Входная емкость:
382пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
31 780 шт

Внешние склады:
46 377 шт
Аналоги:
199 428 шт
Цена от:
от 5,64
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.7А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
1нКл
Входная емкость:
110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
29 481 шт

Внешние склады:
33 400 шт
Аналоги:
86 061 шт
Цена от:
от 5,94
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
161A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
4380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
20 711 шт

Внешние склады:
3 800 шт
Цена от:
от 45,06
Акция
IRLU7843PBF IRLU7843PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
161A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
4380пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
117 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 95,28
AOD498 AOD498 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11А 23Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
415пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,18
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 150A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
150A
Сопротивление открытого канала:
3.8 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
4170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 159,36
Акция
2V7002KT1G 2V7002KT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 320мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
320мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
0.7нКл
Входная емкость:
24.5пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16409Q3 CSD16409Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
8.2 мОм
Мощность макс.:
2.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
5.6нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16411Q3 CSD16411Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 56A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (3.3x3.3)
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
3.8нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18501Q5A CSD18501Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
3840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18503Q5A CSD18503Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
2640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18504KCS CSD18504KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
53A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
93Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CSD18533Q5A CSD18533Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
2750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18534Q5AT CSD18534Q5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
9.8 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRL7833SPBF IRL7833SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 150A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
150A
Сопротивление открытого канала:
3.8 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
4170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
800 шт
Цена от:
от 159,36
Акция
IRLR7833PBF IRLR7833PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
140A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
4010пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 234 шт
Цена от:
от 47,94
Акция
IRLR7843PBF IRLR7843PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
161A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
4380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
24 511 шт
Цена от:
от 12,91
NTHS4166NT1G NTHS4166NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.9A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 400мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
400мА
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
2.18нКл
Входная емкость:
70пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"