Одиночные MOSFET транзисторы

₂₃

Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1872)
Surface Mount (3376)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (23)

-8% Акция

IRF7207TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.4A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

780пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

892 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 20,10₽

-8% Акция

IRF7401TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.7А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

8.7A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 130 шт

Внешние склады:

500 шт

Цена от:

от 35,52₽

-8% Акция

IRF7404TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.7A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

6 139 шт

Внешние склады:

4 000 шт

Цена от:

от 27,36₽

IRLML2402TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.2А 0.54Вт, 0.25 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.2A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

540мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

3.9нКл

Входная емкость:

110пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

113 470 шт

Внешние склады:

47 949 шт

Аналоги:

533 822 шт

Цена от:

от 4,38₽

Акция

IRLMS6702TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro6 (SOT23 6L)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

8.8нКл

Входная емкость:

210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

948 шт

Внешние склады:

3 830 шт

Цена от:

от 3,84₽

-8% Акция

STR2N2VH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.3А, 0.35Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.3А

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канальный

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

4.6нКл

Входная емкость:

367пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 345 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 5,58₽

NTS2101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 1.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70-3 (SOT323)

Напряжение сток-исток макс.:

8В

Ток стока макс.:

1.4A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

290мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

79 688 шт

Цена от:

от 4,38₽

STT5N2VH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

4.6нКл

Входная емкость:

367пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 32,82₽

ZXM61N02FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

3.4нКл

Входная емкость:

160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

7 080 шт

Цена от:

от 9,90₽

ZXM61P02FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 900мА

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

900мА

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

3.5нКл

Входная емкость:

150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

12 918 шт

Цена от:

от 8,04₽

ZXM62P02E6TA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.3A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

5.8нКл

Входная емкость:

320пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 25,14₽

ZXM64P02XTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

MSOP8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

90 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

6.9нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 41,58₽

ZXMN2A01FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

3нКл

Входная емкость:

303пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

4 232 шт

Цена от:

от 8,52₽

ZXMN2A03E6TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.6A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

837пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

4 315 шт

Цена от:

от 25,98₽

ZXMN2A14FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.4A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.4A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

6.6нКл

Входная емкость:

544пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 15,96₽

ZXMN3B14FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.9A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.9A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

6.7нКл

Входная емкость:

568пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 23,22₽

IRF7401PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.7А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

8.7A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 630 шт

Цена от:

от 35,52₽

Акция

IRF7404PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.7А 2.5Вт, 0.04 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

10 139 шт

Цена от:

от 27,36₽

IRF7422D2PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

90 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV40UN,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.9A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

4.9A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

1.9Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

9.3нКл

Входная емкость:

445пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"