Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (13)
STP65NF06 Транзистор полевой N-канальный 60В 65А 0.015 Ом, 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
785 шт

Под заказ:
40 шт
Цена от:
от 68,19
FDMS3662 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 49 А, 0.148 Ом, 104 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.9A Сопротивление открытого канала: 14.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 4620пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQAF16N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 11.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11.3A Сопротивление открытого канала: 320 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole
IPA60R160C6XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 23.8 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 23.8A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 34Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 1660пФ Тип монтажа: Through Hole
IXFH46N65X2 Полевой транзистор N-канальный 650В 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Производитель: IXYS Corporation Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 76 мОм Мощность макс.: 660Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±30В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 4810пФ Тип монтажа: Through Hole
SI7164DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 60A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.25 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2830пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIA433EDJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 75нКл Тип монтажа: Surface Mount
SIR418DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB14NK60ZT4 Транзистор полевой N-канальный 600В 13.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13.5A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2220пФ Тип монтажа: Surface Mount
STF40NF20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 40 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2500пФ Тип монтажа: Through Hole
STP14NK60ZFP Транзистор полевой N-канальный 600В 13.5А 40Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13.5A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2220пФ Тип монтажа: Through Hole
STP40NF20 Транзистор полевой N-канальный 200В 40A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2500пФ Тип монтажа: Through Hole
STW40NF20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 40 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2500пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"