Одиночные MOSFET транзисторы

71
Заряд затвора: 110нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (71)
Акция
FQA70N10 FQA70N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 70А 214Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
46 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 220,46
Акция
FQP32N20C FQP32N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 28A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
156Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
244 шт

Внешние склады:
8 шт
Цена от:
от 147,04
Акция
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
309 шт

Внешние склады:
1 650 шт
Цена от:
от 61,53
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
859 шт

Внешние склады:
1 710 шт
Цена от:
от 73,34
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
320 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 108,66
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
756 шт

Внешние склады:
3 250 шт
Цена от:
от 30,62
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110A 170Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 680 шт

Внешние склады:
4 200 шт
Цена от:
от 35,93
IRF6218PBF IRF6218PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27А 250Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
280 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 343,62
IRF7240TRPBF IRF7240TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
9250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 100 шт

Внешние склады:
7 768 шт
Аналоги:
21 808 шт
Цена от:
от 48,65
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4030пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 707 шт

Внешние склады:
5 600 шт
Цена от:
от 44,71
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
117 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 408 шт

Внешние склады:
3 400 шт
Цена от:
от 45,65
IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
96 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 338,49
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
5.8 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 077 шт

Внешние склады:
2 606 шт
Цена от:
от 54,14
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 46А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
46 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4560пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
554 шт

Внешние склады:
2 059 шт
Цена от:
от 79,84
IRFB4321PBF IRFB4321PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
350Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 037 шт

Внешние склады:
1 250 шт
Цена от:
от 81,76
IRFB7545PBF IRFB7545PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 95A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
95A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4010пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 930 шт

Внешние склады:
2 350 шт
Цена от:
от 41,83
IRFI4227PBF IRFI4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 47А 46Вт, 0.021 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
46Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
438 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 238,15
Акция
IRFI4229PBF IRFI4229PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 19А 46Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
46 мОм
Мощность макс.:
46Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4480пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
941 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 115,38
IRFI4321PBF IRFI4321PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 34A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
34A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
46Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
197 шт

Внешние склады:
750 шт
Цена от:
от 141,51
IRFP150NPBF IRFP150NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 39А 140Вт, 0.036 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 061 шт

Внешние склады:
3 780 шт
Цена от:
от 46,08
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"