Одиночные MOSFET транзисторы

19
Заряд затвора: 59нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (19)
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
28.5 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 681 шт

Внешние склады:
830 шт
Аналоги:
1 943 шт
Цена от:
от 54,25
IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 91Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
28.5 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 943 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 511 шт
Цена от:
от 45,78
SI7617DN-T1-GE3 SI7617DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
12.3 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
990 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 41,51
IRLR8743TRPBF IRLR8743TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
4880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
459 шт

Внешние склады:
725 шт
Цена от:
от 41,65
Акция
STP5NK100Z STP5NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1KВ 3.5А 125Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
3.7 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1154пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
436 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 150,02
IRLU8743PBF IRLU8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
4880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
55 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 239,19
Акция
IRF7406TRPBF IRF7406TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
37 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 142,98
AUIRFR540Z AUIRFR540Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
28.5 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8445 FDD8445 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 70A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
4050пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD50P04P4L11ATMA1 IPD50P04P4L11ATMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3-313
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
10.6 мОм
Мощность макс.:
58Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7406PBF IRF7406PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8А 2.5Вт, 0.045 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
37 шт
Цена от:
от 23,54
IRF7458PBF IRF7458PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
2410пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7458TRPBF IRF7458TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
2410пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7492PBF IRF7492PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
79 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7492TRPBF IRF7492TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
79 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR540ZPBF IRFR540ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 91Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
28.5 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 454 шт
Цена от:
от 45,78
Акция
IRLR8743PBF IRLR8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
4880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 184 шт
Цена от:
от 41,65
STF5NK100Z STF5NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1KВ 3.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
3.7 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1154пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW5NK100Z STW5NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
3.7 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1154пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"