Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)

Тип монтажа

Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (16)

Акция

IRF9328TRPBF Транзистор полевой P-канальный 30В 12A 8-Pin SOIC N лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 11.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 515 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 126,07₽

Акция

FCP11N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 0.38 Ом, 125Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FCP11N60F Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 0.32 Ом, 125Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF11N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 11A TO220F Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8447L Транзистор полевой N-канальный 40В 50А 60Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 2620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8447L Транзистор полевой N-канальный 40В 50А 44Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 15.2A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1970пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA28N15 Транзистор полевой N-канальный 150В 33А 227Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPB60R165CPATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 21 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 192Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9328PBF Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 12 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 11.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

1 515 шт.

Цена от:

от 126,07₽

Акция

IRF9388PBF Транзистор полевой P-канальный 30В 12A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFB11N50APBF Транзистор полевой N-канальный 500В 11А 170Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 520 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1423пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFIB7N50APBF Транзистор полевой N-канальный 500В 6,6А 60Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 520 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1423пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS11N50APBF Транзистор полевой N-канальный 500В 11A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 520 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1423пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

NTMFS4835NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: 5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 890мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQD50N05-11L-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 2106пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD25NF10LT4 Транзистор полевой N-канальный 100В 25А 100Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"