Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (28)

FDB16AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 58 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1857пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA507PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 2015пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7672S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.8A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 2520пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7680 Транзистор полевой N-канальный 30В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.8A Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 2855пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS2672 Транзистор полевой N-канальный 200В 3.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 2315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS2734 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 122 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 2365пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP16AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 58 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1857пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS5680 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6675BZ Транзистор полевой P-канальный 30В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7457PBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 15 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7457TRPBF Полевой транзистор N-канальный 20В 15A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC40APBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1036пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFBC40ASPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1036пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC40ASTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1036пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC40ASTRRPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1036пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTA3N120 Транзистор полевой N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Производитель: IXYS Corporation Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTA3N120TRL Транзистор полевой N-канальный 1200В 3А 200Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXTA) Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTP3N120 Транзистор полевой N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PMK35EP,518 Транзистор полевой P-канальный 30В 14.9A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT96-1 (SO8) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.9A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 6.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 2100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4490DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.85 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.85A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 42нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"