Одиночные MOSFET транзисторы

₂₈

Заряд затвора: 42нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (28)

IRFBC40APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1036пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 017 шт

Внешние склады:

2 980 шт

Цена от:

от 72,94₽

IXTP3N120 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Производитель:

IXYS Corporation

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

1200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

4.5 Ом

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

294 шт

Внешние склады:

34 347 шт

Цена от:

от 294,53₽

FDMA507PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

7.8A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

2015пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 32,82₽

FDS6675BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 26,32₽

Акция

IRFBC40ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1036пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

29 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 42,59₽

SI4490DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.85A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

2.85A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1.56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

42нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

560 шт

Цена от:

от 44,70₽

SI5403DC-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

ChipFET8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

6.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

6 000 шт

Цена от:

от 20,85₽

SI7115DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 8.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

8.9A

Сопротивление открытого канала:

295 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

7 691 шт

Цена от:

от 31,69₽

SI7450DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1.9Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

42нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 63,06₽

SIS402DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 870 шт

Цена от:

от 16,92₽

FDB16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 58A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1857пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7672S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14.8A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

2520пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14.8A

Сопротивление открытого канала:

7.2 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

2855пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS2672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

77 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

2315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS2734 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 2.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

122 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

2365пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 58A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1857пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS5680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7457PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 15A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

3100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7457TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 15A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

3100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC40ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1036пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

29 шт

Цена от:

от 42,59₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"