Одиночные MOSFET транзисторы

17
Заряд затвора: 61нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
IRF9540PBF IRF9540PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19А 150Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
866 шт

Внешние склады:
1 830 шт
Цена от:
от 54,54
Акция
IRF9540STRLPBF IRF9540STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
569 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Аналоги:
500 шт
Цена от:
от 98,31
Акция
IRFP9140PBF IRFP9140PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 21А 180Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
140 шт

Внешние склады:
850 шт
Цена от:
от 109,48
BSC014N04LS BSC014N04LS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 32A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
1.4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 008 шт
Цена от:
от 24,59
FDB44N25TM FDB44N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 44A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
307Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
2870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Цена от:
от 66,21
FDPF44N25T FDPF44N25T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 44A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
2870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 149,00
IRF9540SPBF IRF9540SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A 150Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
500 шт
Аналоги:
2 169 шт
Цена от:
от 187,02
STB100N10F7 STB100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4369пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 193,50
STD100N10F7 STD100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4369пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 036 шт
Цена от:
от 55,93
STP100N10F7 STP100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4369пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Цена от:
от 66,02
FDB110N15A FDB110N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 92A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
92A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
234Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8321L FDMC8321L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 44В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7473PBF IRF7473PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.9A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.9A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
3180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7473TRPBF IRF7473TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.9A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.9A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
3180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 11А 48Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFP044NPBF IRFP044NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 53A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
53A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PHP45NQ10T,127 PHP45NQ10T,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 47A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"