Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
Акция STP95N3LLH6 Транзистор полевой N-канальный 30В 80А 3.7 мОм Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
72 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 47,35
2SK2420 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
AOD4126 Транзистор полевой N-канальный 100В 43А 50Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция AUIRFR8401 Транзистор полевой N-канальный 40В 100А 79Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.25 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
49 шт
Цена от:
от 63,35
Акция FQB19N20LTM Транзистор полевой N-канальный 200В 21А 140 мОм, 3.13Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQP22N30 Транзистор полевой N-канальный 300В 21А 170Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP32N20C Транзистор полевой N-канальный 200В 28A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 156Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP350LCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP450LCPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 14А 190Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRL540PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 28А 150Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRL540SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 28 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLI540G Транзистор полевой N-канальный 100В 20А 42Вт 0.044 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STD60N55F3 Транзистор полевой N-канальный 55В 65A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD65N55F3 Транзистор полевой N-канальный 55В 65A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD95N4F3 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STP60N55F3 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STP95N4F3 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"