Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (45)
IRFBC20STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFDC20PBF Транзистор полевой N-канальный 600В 320мА Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFR320PBF Транзистор полевой N-канальный 400В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR320TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR320TRPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 3.1А 2.5Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR9024NPBF Транзистор полевой P-канальный 60В 8.8А 42Вт, 0.28 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
105 590 шт
Цена от:
от 14,07
IRFR9024NTRLPBF Транзистор полевой P-канальный 55В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
105 590 шт
Цена от:
от 14,07
Акция IRFR9120NPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 6.5А 39Вт, 0.48 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9120NTRLPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 6.6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9120NTRPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 6.6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFRC20PBF Транзистор полевой N-канальный 600В 2.0А 42Вт, 4.4 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFRC20TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 2A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFRC20TRPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 2A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFU320PBF Транзистор полевой N-канальный 400В 3.1А 42Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFUC20PBF Транзистор полевой N-канальный 600В 2А 42Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
RFD3055LE Транзистор полевой N-канальный 60В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 107 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11.3нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
RFD3055LESM9A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 11 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 107 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11.3нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2316BDS-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 4.5 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.66Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.6нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI3458BDV-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 3.2A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI3459BDV-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 2.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 216 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"