Одиночные MOSFET транзисторы

16
Входная емкость: 170пФ
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
IRF710PBF IRF710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2А 36Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
840 шт

Внешние склады:
2 165 шт
Цена от:
от 44,25
Акция
IRF9610PBF IRF9610PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8А 60Вт, 0.6 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 092 шт

Внешние склады:
2 320 шт
Цена от:
от 40,51
Акция
IRFD9210PBF IRFD9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.4А 1.3Вт, 3.0 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
400мА
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.9нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
128 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 66,61
Акция
IRFR310TRPBF IRFR310TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 250 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Аналоги:
1 100 шт
Цена от:
от 26,50
Акция
IRFU310PBF IRFU310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
867 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 10,90
IRF9610SPBF IRF9610SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 1.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 106,73
IRFR310PBF IRFR310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 100 шт
Аналоги:
5 250 шт
Цена от:
от 93,05
IRFR9210TRPBF IRFR9210TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 1.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.9нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 35,14
NTK3139PT1G NTK3139PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 780мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
660мА
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
310мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 6,57
FQN1N60CTA FQN1N60CTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 300мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
11.5 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQT1N60CTF_WS FQT1N60CTF_WS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 200мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
11.5 Ом
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQU1N60CTU FQU1N60CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
11.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF710SPBF IRF710SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR9210PBF IRFR9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 1.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.9нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 000 шт
Цена от:
от 35,14
IRFU9210PBF IRFU9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 1.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.9нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLMS5703TRPBF IRLMS5703TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.4A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro6[тм](TSOP-6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"