Одиночные MOSFET транзисторы

23
Входная емкость: 700пФ
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (23)
-8% Акция
IRF630 IRF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9А 74Вт, 0.4 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
374 шт

Внешние склады:
100 000 шт
Цена от:
от 37,14
-8% Акция
IRF730PBF IRF730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5А 74Вт, 1 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 349 шт

Внешние склады:
50 780 шт
Цена от:
от 24,12
-7%
IRF9630PBF IRF9630PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 294 шт

Внешние склады:
10 636 шт
Цена от:
от 38,52
-8% Акция
IRFI9630GPBF IRFI9630GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 4.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
152 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 99,72
IRFIZ34NPBF IRFIZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 21А 37Вт, 0.04 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
195 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 96,36
-8% Акция
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 238 шт

Внешние склады:
16 685 шт
Аналоги:
70 шт
Цена от:
от 36,60
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29А 68Вт, 0.05 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 808 шт

Внешние склады:
15 871 шт
Цена от:
от 18,66
IRLML6244TRPBF IRLML6244TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
8.9нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
72 369 шт

Внешние склады:
105 400 шт
Аналоги:
102 363 шт
Цена от:
от 6,00
IRFR4105TRLPBF IRFR4105TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
70 шт
Аналоги:
17 923 шт
Цена от:
от 53,46
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 88,44
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
21.5нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 241 шт
Цена от:
от 24,36
AUIRFIZ34N AUIRFIZ34N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 21A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220-5 Full-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFR4105 AUIRFR4105 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17307Q5A CSD17307Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 73A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
5.2нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFS6N548 FDFS6N548 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN339AN FDN339AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD6N50CTM FQD6N50CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD9N25TM FQD9N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 7.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
420 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF730SPBF IRF730SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9630SPBF IRF9630SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"