Одиночные MOSFET транзисторы

17
Входная емкость: 550пФ
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7.3А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 665 шт

Внешние склады:
4 520 шт
Цена от:
от 65,33
DMN2041L-7 DMN2041L-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.4A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.4A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
780мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
15.6нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Цена от:
от 4,90
FQD11P06TM FQD11P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 704 шт
Цена от:
от 33,93
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
29.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19.5нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 77,02
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19.5нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 62,36
STU4N62K3 STU4N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 3.8A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
750 шт
Цена от:
от 147,97
FQB11P06TM FQB11P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11.4A
Сопротивление открытого канала:
175 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD2N80TM FQD2N80TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
6.3 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP11P06 FQP11P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11.4A
Сопротивление открытого канала:
175 мОм
Мощность макс.:
53Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF2N80YDTU FQPF2N80YDTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
6.3 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF630 FQPF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 6.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU11P06TU FQU11P06TU Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF7201PBF IRF7201PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7А 2Вт, 0.03 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
7 185 шт
Цена от:
от 65,33
IRFB4212PBF IRFB4212PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
72.5 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NTGS3433T1G NTGS3433T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.35A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STF4N62K3 STF4N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 3.8A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STL6N2VH5 STL6N2VH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 2x2
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"