Одиночные MOSFET транзисторы

22
Входная емкость: 800пФ
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (22)
-8% Акция
IRF630PBF IRF630PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
210 шт

Внешние склады:
10 050 шт
Цена от:
от 61,32
-8% Акция
IRFB4019PBF IRFB4019PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 17А 80Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
243 шт

Внешние склады:
792 шт
Цена от:
от 52,80
-8% Акция
IRL530NPBF IRL530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 79Вт, 0.1 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
271 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 168,00
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 476 шт

Внешние склады:
1 800 шт
Цена от:
от 49,98
-8% Акция
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
105 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
801 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Аналоги:
16 289 шт
Цена от:
от 30,42
-8% Акция
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
105 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 951 шт

Внешние склады:
13 338 шт
Аналоги:
3 801 шт
Цена от:
от 18,00
-8% Акция
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
105 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
430 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 67,56
-8% Акция
STP19NF20 STP19NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 15А 0.15 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
76 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 87,24
TK6A60D (STA4,Q,M) TK6A60D (STA4,Q,M) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А, 40Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220SIS (SC-67)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
613 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 42,36
STB19NF20 STB19NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 15А 0.15 Ом 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 102,48
CSD16409Q3 CSD16409Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
8.2 мОм
Мощность макс.:
2.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
5.6нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDMA430NZ FDMA430NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP12P10 FQP12P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF12P10 FQPF12P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 8.2А 75Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.2A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF630SPBF IRF630SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFI630GPBF IRFI630GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRL530NSPBF IRL530NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 3.8Вт, 0.1 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 276 шт
Цена от:
от 49,98
IRLI530NPBF IRLI530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4598 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"