Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (26)
IPW90R340C3FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 900В 15A 340мОм TO247-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 340 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
48 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 652,00
IRF3415PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 43А 200Вт, 0.042 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
5 716 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 88,44
IRF3415STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 43А 3.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
142 шт

Под заказ:
55 шт
Цена от:
от 147,39
IRFR2407TRPBF Транзистор полевой N-канальный 75В 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 535 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 78,34
SPA20N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 34Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 34.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
353 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 222,99
SPP20N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 20.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 128 шт

Под заказ:
786 шт
Цена от:
от 178,43
SPP20N65C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 20.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3-1 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
48 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 817,42
SPW20N60C3FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 20.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
727 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 189,03
SPW20N60CFDFKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 208Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 124нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
90 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
255 шт
Цена от:
от 685,75
AUIRFR2407 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 42 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP2035UVT-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 23.1нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP2035UVTQ-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Aвтомобильного применения 6-Pin TSOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 23.1нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS8817NZ Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPP90R340C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 900В 15А 208Вт, CoolMOS Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 340 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF3415SPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 43A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
197 шт
Цена от:
от 147,39
IRFIZ48GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 37 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 37A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP048PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 70A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP3415PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 43A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFR2407PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 42А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 535 шт
Цена от:
от 78,34
IRFZ48RPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"