Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (39)
Акция IRFR420APBF Транзистор полевой N-канальный 500В 3.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка IRFR420ATRPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 3.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR420PBF Транзистор полевой N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR420TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR420TRPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9210PBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 1.9 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.9нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9210TRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 1.9 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.9нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9214PBF Транзистор полевой P-канальный 250В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9214TRPBF Транзистор полевой P-канальный 250В 2.7А 50Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFU420APBF Транзистор полевой N-канальный 500В 3.3А 83Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFU420PBF Транзистор полевой N-канальный 500В 2.4А 42Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFU9210PBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 1.9 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.9нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFU9214PBF Полевой транзистор, P-канальный, 250 В, 2.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Through Hole
NTA4001NT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 238мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 238мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount
SPP02N60C3XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 1.8 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 12.5нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole
SPU02N60S5 Транзистор полевой N-канальный 600В 1.8A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 9.5нКл Входная емкость: 240пФ Тип монтажа: Through Hole
STD3LN62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В, 2.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 386пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STP3LN62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 386пФ Тип монтажа: Through Hole
ZVNL110GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 600мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 75пФ Тип монтажа: Surface Mount
  • 1
  • 2
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"