Одиночные MOSFET транзисторы

10
Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10)
TK6A60D (STA4,Q,M) TK6A60D (STA4,Q,M) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А, 40Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220SIS (SC-67)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
579 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,18
Акция
STD6N95K5 STD6N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
149 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 62,93
STF6N95K5 STF6N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
51 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 58,89
FDD7N60NZTM FDD7N60NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
730пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP7N60NZ FDP7N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF7N60NZ FDPF7N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 330мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SC-75A
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
330мА
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
250мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.6нКл
Входная емкость:
30пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP6N95K5 STP6N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU6N95K5 STU6N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW6N95K5 STW6N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"