Одиночные MOSFET транзисторы

20
Сопротивление открытого канала: 250 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (20)
BSP250,115 BSP250,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
529 шт

Внешние склады:
2 030 шт
Цена от:
от 38,46
IRLML2402TRPBF IRLML2402TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.2А 0.54Вт, 0.25 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
540мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.9нКл
Входная емкость:
110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
113 470 шт

Внешние склады:
47 949 шт
Аналоги:
533 822 шт
Цена от:
от 4,38
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.2А 0.54Вт, 0.25 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
540мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
85пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
122 746 шт

Внешние склады:
80 750 шт
Аналоги:
437 640 шт
Цена от:
от 5,46
STP20NM50 STP20NM50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
192Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
82 шт

Внешние склады:
120 шт
Цена от:
от 366,12
SI2328DS-T1-E3 SI2328DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.15A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
730мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 487 шт
Аналоги:
5 292 шт
Цена от:
от 17,64
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.15A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
730мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 292 шт
Аналоги:
10 487 шт
Цена от:
от 24,96
STD6NF10T4 STD6NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6А 0.22 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 61,38
Акция
STF19NM50N STF19NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 209,04
STP19NM50N STP19NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 187,08
STW19NM50N STW19NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 417,12
STW20NM50FD STW20NM50FD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 214Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1380пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 642,18
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.5A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.7нКл
Входная емкость:
405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 532 шт
Цена от:
от 16,32
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3.2нКл
Входная емкость:
166пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 7,08
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07ZTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.9A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3.2нКл
Входная емкость:
166пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 010 шт
Цена от:
от 22,20
BSP250,135 BSP250,135 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 559 шт
Цена от:
от 38,46
Акция
IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP26N60LPBF IRFP26N60LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 26A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
470Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
5020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP460BPBF IRFP460BPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
278Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
3094пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PHT4NQ10T,135 PHT4NQ10T,135 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
6.9Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.4нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN10A08E6TC ZXMN10A08E6TC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.5A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.7нКл
Входная емкость:
405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"