Одиночные MOSFET транзисторы

32
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (32)
STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 140Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
60.5нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
145 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 77,22
STD4NK60ZT4 STD4NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 536 шт

Внешние склады:
3 050 шт
Цена от:
от 24,66
STP4NK60Z STP4NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
513 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 48,42
STP4NK60ZFP STP4NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
8 628 шт

Внешние склады:
50 шт
Аналоги:
1 862 шт
Цена от:
от 32,94
STP6NK90Z STP6NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.8А 140Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
60.5нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
133 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 230,28
STP6NK90ZFP STP6NK90ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.8А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
60.5нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 702 шт

Внешние склады:
290 шт
Цена от:
от 112,74
Акция
2N7002K 2N7002K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
2N7002K-7 2N7002K-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.38A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
380мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
370мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.3нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.6нКл
Входная емкость:
30пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.35Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.6нКл
Входная емкость:
30пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BS270 BS270 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 400мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
400мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Through Hole
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.36A автомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
360мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
320мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.2нКл
Входная емкость:
45.8пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN5L06K-7 DMN5L06K-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 300мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN601TK-7 DMN601TK-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.3A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
150мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDPF5N50UT FDPF5N50UT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF5N60NZ FDPF5N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP6N60C FQP6N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQPF6N60C FQPF6N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 40Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFL214PBF IRFL214PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 790мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
790мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"