Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (22)
STD4NK80ZT4 Транзистор полевой N-канальный 800В 3А 80Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22.5нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
3 965 шт

Под заказ:
6 842 шт
Цена от:
от 73,78
STP4NK80Z Транзистор полевой N-канальный 800В 3А 3 Ом, 80Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22.5нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
401 шт

Под заказ:
10 шт
Цена от:
от 149,48
STP4NK80ZFP Транзистор полевой N-канальный 800В 3А 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22.5нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
250 шт

Под заказ:
1 020 шт
Цена от:
от 65,09
BSS138 Транзистор полевой N-канальный 50В 220мА 0.36Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 220мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 2.4нКл Входная емкость: 27пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
761 207 шт
Цена от:
от 1,09
BSS138-7-F Транзистор полевой N-канальный 50В 200мА, 0.3Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
761 207 шт
Цена от:
от 1,09
Акция BSS138L Транзистор полевой N-канальный 50В 0.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 2.4нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
761 207 шт
Цена от:
от 1,09
BSS138LT1G Транзистор полевой N-канальный 50В 0.2А 0.36Вт, 3.5 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
761 207 шт
Цена от:
от 1,09
BSS138LT3G Транзистор полевой N-канальный 50В 200мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
761 207 шт
Цена от:
от 1,09
BSS138Q-7-F Транзистор полевой N-канальный 50В 0.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
761 207 шт
Цена от:
от 1,09
BSS138W-7-F Транзистор полевой N-канальный 50В 200мА, 0.2Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
13 089 шт
Цена от:
от 2,64
BVSS138LT1G Транзистор полевой N-канальный 50В 200мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFPG40PBF Транзистор полевой N-канальный 1000В 4.3A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
NTNUS3171PZT5G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 200 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-1123 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 150мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 125мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 13пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD3N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD4NK80Z-1 Транзистор полевой N-канальный 800В 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22.5нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Through Hole
STD5N95K3 Транзистор полевой N-канальный 950В 4A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Surface Mount
STF3N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STF5N95K3 Транзистор полевой N-канальный 950В 4А 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Through Hole
STP3N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STP5N95K3 Транзистор полевой N-канальный 950В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"