Одиночные MOSFET транзисторы

₁₈

Сопротивление открытого канала: 3 мОм

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (18)

IRFB3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6540пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 913 шт

Внешние склады:

2 200 шт

Цена от:

от 45,25₽

IRFP3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 280Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

280Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6540пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

2 744 шт

Внешние склады:

1 250 шт

Цена от:

от 80,23₽

IRFS3206TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 075 шт

Внешние склады:

1 850 шт

Цена от:

от 95,36₽

AUIRF7736M2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 22A автомобильного применения 9-Pin Direct-FET M4 лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] M4

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

108нКл

Входная емкость:

4267пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS3206 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 210A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

800 шт

Цена от:

от 656,93₽

FDMS7670AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

4225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3107PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

370Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

240нКл

Входная емкость:

9370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3107TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

370Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

240нКл

Входная емкость:

9370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 925 шт

Цена от:

от 95,36₽

IRFSL3107PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

370Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

240нКл

Входная емкость:

9370пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL3713PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 260А 330Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

260A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

5890пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRL3713SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 260A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

260A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

5890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL3713STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 260A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

260A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

5890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4834NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

4500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB155N3H6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

3650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB155N3LH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 110Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

3800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STH240N75F3-6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 180A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

HВІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

180A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

6800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP260N6F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

183нКл

Входная емкость:

11400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"