Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (29)

SPW47N60C3FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 47А 415Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 415Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 320нКл Входная емкость: 6800пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

4 902 шт

Под заказ:

280 шт

Цена от:

от 491,76₽

AUIRFZ24NS Транзистор полевой N-канальный 55В 17A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

141 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 130,57₽

IRF3315PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 23A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 94Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

130 шт

Цена от:

от 69,64₽

IRF7205TRPBF Транзистор полевой P-канальный 30В 4.6А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 290 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 31,94₽

IRFZ24NPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 17А 45Вт, 0.07 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 370пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

7 061 шт

Под заказ:

930 шт

Цена от:

от 30,54₽

STD16NF06T4 Транзистор полевой N-канальный 60В 16А 0.06 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 14.1нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 227 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 53,96₽

AO3435 Полевой транзистор P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 745пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

DMP3098L-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 3.8A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1.08Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Входная емкость: 336пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCA47N60_F109 Транзистор полевой N-канальный 600В 47A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCH47N60F-F133 Транзистор полевой N-канальный 600В 47A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCH47N60_F133 Транзистор полевой N-канальный 600В 47A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDN327N Транзистор полевой N-канальный 20В 2А 0.07 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6.3нКл Входная емкость: 423пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN335N Транзистор полевой N-канальный 20В 1.7А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-SSOT Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN340P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2 А, 0,5 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 779пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS2672 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2535пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA40N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 40A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB27P06TM Транзистор полевой P-канальный 60В 27A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FQP27P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 27А 120Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF27P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 17A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 47Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW60R070C6FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 53A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 53A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 391Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"