Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (19)

IRF2804STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 6450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

75 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 225,70₽

IRFB7437PBF Транзистор полевой N-канальный 40В 195А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 7330пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 306 шт

Под заказ:

610 шт

Цена от:

от 76,59₽

IRFB7530PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 411нКл Входная емкость: 13703пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

180 шт

Под заказ:

280 шт

Цена от:

от 169,96₽

IRFP7530PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 195А 341Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 341Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 411нКл Входная емкость: 13703пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 021 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 206,17₽

IRFS7730TRL7PP Транзистор полевой N-канальный 75В 240А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 428нКл Входная емкость: 13970пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 229 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 184,49₽

AUIRF2804S Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 195 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 6450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFB8407 Транзистор полевой N-канальный 40В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 7330пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

BSZ0901NSATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 25A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD9407_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 6390пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7570S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 40 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 4410пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8820 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 28 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 5315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP020N06B_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 333Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 268нКл Входная емкость: 20930пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPD100N04S402ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3-313 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 118нКл Входная емкость: 9430пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPT020N10N3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 300 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-HSOF-8-1 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 300A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 156нКл Входная емкость: 11200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF2804SPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 75А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 6450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

75 шт

Цена от:

от 225,70₽

NTMFS4833NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 910мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 5600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN1R7-60BS,118 Полевой транзистор N-канальный 60В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 306Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 137нКл Входная емкость: 9997пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4136DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 46 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR640ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 4240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"