Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (27)

Акция

IRFIZ44NPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 31А 45Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

106 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 57,53₽

IRFML8244TRPBF Транзистор полевой N-канальный 25В 5.8А 1.25Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23) Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 5.4нКл Входная емкость: 430пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

8 928 шт

Под заказ:

2 600 шт

Аналоги:

31 628 шт

Цена от:

от 13,28₽

AOD4126 Транзистор полевой N-канальный 100В 43А 50Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD16301Q2 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.55В Заряд затвора: 2.8нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB86102LZ Транзистор полевой N-канальный 100В 30A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1275пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC637AN Транзистор полевой N-канальный 20В 6.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 1125пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC637BNZ Транзистор полевой N-канальный 20В 6.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 895пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8451 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 990пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86102 Транзистор полевой N-канальный 100В 8А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1035пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA507PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 2015пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 965пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86102LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDME910PZT Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6(1.6x1.6) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 2110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86104 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 923пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6375 Транзистор полевой P-канальный 20В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2694пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFB4227PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 65А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTK120N25P Транзистор полевой N-канальный 250В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 700Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 185нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTR3C21NZT1G Полевой транзистор N-канальный 20В 3.6A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 470мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 17.8нКл Входная емкость: 1540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS5826NLTAG Транзистор полевой N-канальный 60В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5826NLTAG Транзистор полевой N-канальный 60В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"