Одиночные MOSFET транзисторы

17
Сопротивление открытого канала: 12 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
-8% Акция
FDS6690AS FDS6690AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
390 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 24,66
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 84А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
84A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
3210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 250 шт

Внешние склады:
4 472 шт
Цена от:
от 36,78
IRFP054NPBF IRFP054NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 81А 170Вт, 0.012 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
81A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
205 шт

Внешние склады:
320 шт
Цена от:
от 76,86
-8% Акция
IRL3103PBF IRL3103PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56А 83Вт, 0.014 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
64A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
94Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1650пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 121,14
-8% Акция
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
317 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 102,96
DMN3016LFDE-13 DMN3016LFDE-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A автомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
6-UDFN2020 (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
730мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25.1нКл
Входная емкость:
1415пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Аналоги:
3 083 шт
Цена от:
от 10,56
DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A автомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
6-UDFN2020 (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
730мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25.1нКл
Входная емкость:
1415пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 083 шт
Аналоги:
10 000 шт
Цена от:
от 10,80
HUF75339P3 HUF75339P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 187,44
Акция
IRF3708PBF IRF3708PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 62A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
62A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
87Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
2417пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
35 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 32,28
FDB120N10 FDB120N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 74A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
74A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
5605пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6690A FDD6690A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP120N10 FDP120N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 74A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
74A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
5605пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDS4480 FDS4480 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 10.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1686пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDAKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 84A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
84A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
87нКл
Входная емкость:
6650пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPP77N06S212AKSA2 IPP77N06S212AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
77A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
158Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI1010NPBF IRFI1010NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 58Вт, 0.012 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
49A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
58Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFZ48VPBF IRFZ48VPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 72А 190Вт, 0.018 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
72A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1985пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"