Одиночные MOSFET транзисторы

21
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (21)
-8% Акция
IRF730PBF IRF730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5А 74Вт, 1 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 349 шт

Внешние склады:
50 780 шт
Цена от:
от 24,12
-7%
IRFI9634GPBF IRFI9634GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
620 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 103,02
Акция
MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 300мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Входная емкость:
45пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
500 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,22
-8% Акция
SIHF6N40D-E3 SIHF6N40D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
311пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
92 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 55,68
STP7NK40Z STP7NK40Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
535пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
617 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 24,84
FQD6N40CTM FQD6N40CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
625пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
15 890 шт
Цена от:
от 46,38
MMBF2201NT1G MMBF2201NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 300мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
150мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Входная емкость:
45пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 23,22
PMZ1000UN,315 PMZ1000UN,315 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.48A 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
480мА
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
0.89нКл
Входная емкость:
43пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Цена от:
от 108,06
STD5NM60T4 STD5NM60T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 64,44
Акция
STD7NK40ZT4 STD7NK40ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
535пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 38,94
CPC3701CTR CPC3701CTR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Depletion Mode
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB7N60TM FQB7N60TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 74А 1000 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD6N25TM FQD6N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 4.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF730APBF IRF730APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF730ASPBF IRF730ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF730SPBF IRF730SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RK7002AT116 RK7002AT116 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА
Производитель:
ROHM
Корпус:
SST3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
33пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD5NM60-1 STD5NM60-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF10N65K3 STF10N65K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP7NK40ZFP STP7NK40ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
535пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"