Одиночные MOSFET транзисторы

25
Сопротивление открытого канала: 4 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (25)
Акция
IRF1404PBF IRF1404PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162А 200Вт, 0.004 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
202A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
333Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
196нКл
Входная емкость:
5669пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
8 077 шт

Внешние склады:
9 420 шт
Аналоги:
9 914 шт
Цена от:
от 36,39
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
162A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
7360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
531 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 107,89
Акция
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.32В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
4310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 888 шт

Внешние склады:
4 940 шт
Цена от:
от 31,22
Акция
IRL1404PBF IRL1404PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160А 200Вт, 0.004 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
6590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
147 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 170,32
-6% Акция
IRLR3717PBF IRLR3717PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.45В
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
2830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
93 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 55,34
STB120N4F6 STB120N4F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
3850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 259,98
STD120N4F6 STD120N4F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
3850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 46,24
STH140N8F7-2 STH140N8F7-2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 90A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
HВІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
6340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 381,47
STP160N75F3 STP160N75F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
6750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
543 шт
Цена от:
от 397,71
AUIRF1404S AUIRF1404S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 202A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
7360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS4010-7TRL AUIRFS4010-7TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
9830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRL1404S AUIRL1404S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK764R0-55B,118 BUK764R0-55B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 193A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
6776пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R2-80E,118 BUK964R2-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
349Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
123нКл
Входная емкость:
17130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R4-40B,118 BUK964R4-40B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 174A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
254Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
7124пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16327Q3T CSD16327Q3T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 21A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON-EP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17506Q5A CSD17506Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
1650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7672AS FDMS7672AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF1404SPBF IRF1404SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
162A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
7360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
531 шт
Цена от:
от 69,53
Акция
IRF7832PBF IRF7832PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.32В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
4310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
10 828 шт
Цена от:
от 31,22
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40473 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"