Одиночные MOSFET транзисторы

₁₇

Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1873)
Surface Mount (3379)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (17)

Акция

AUIRFB8405 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

163Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

161нКл

Входная емкость:

5193пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

72 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 59,16₽

IRFB3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

300нКл

Входная емкость:

8970пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

197 шт

Внешние склады:

3 240 шт

Цена от:

от 135,74₽

Акция

IRFB7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

135нКл

Входная емкость:

4730пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

442 шт

Внешние склады:

16 281 шт

Цена от:

от 29,58₽

Акция

IRFP3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 257A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

300нКл

Входная емкость:

8970пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

52 шт

Внешние склады:

90 шт

Цена от:

от 349,16₽

FDMS86500L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 25A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (5x6), Power56

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

25A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

165нКл

Входная емкость:

12530пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 112,00₽

FDP025N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

395Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

226нКл

Входная емкость:

14885пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

10 шт

Цена от:

от 928,45₽

IRFSL3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

300нКл

Входная емкость:

8970пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 1 304,04₽

IRFSL7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

135нКл

Входная емкость:

4730пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 650 шт

Цена от:

от 67,30₽

SIRA06DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

62.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

77нКл

Входная емкость:

3595пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 64,98₽

SIS476DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

77нКл

Входная емкость:

3595пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 174,52₽

STH240N10F7-2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

HВІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

180A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

160нКл

Входная емкость:

11550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 122,24₽

STP270N8F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 180A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

180A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

315Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

193нКл

Входная емкость:

13600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

50 шт

Цена от:

от 372,78₽

BSC025N03LSGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

25A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

6100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8321L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 44В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

3900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

300нКл

Входная емкость:

8970пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

879 шт

Цена от:

от 196,84₽

Акция

IRFS7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-263 (DВІPak)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

135нКл

Входная емкость:

4730пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

68 439 шт

Цена от:

от 41,42₽

STB270N4F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

7400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43524 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"